资讯摘要
- EEPROM外围电路中高压NMOS场晶体管的沟道结构及制作方法-作者：钱文生,...
-发明人:安永峻,朴东健,李忠浩,姜熙秀,申请人:三星电子株式会社,,发明专利中华人民共和国国家知识产权局 2005年...
- 包含互补场效应晶体管的集成电路-作者：卡拉信·法兰马宁诺斯,菲利浦光...
发明人:朱慧珑,约亨·拜因特纳,布鲁斯·B·多丽丝,张郢,申请人:国际商业机器公司...发明人:安永峻,朴东健,李忠浩,姜熙秀,申请人:三星电子株式会社,,发明专利...
- GaAs MISFET制备中的选择性腐蚀研究 Study on the Selective Etching ...
国际商业机器公司,西门子公司,,发明专利中华人民共和国国家知识产权局 1999年...发明人:安永峻,朴东健,李忠浩,姜熙秀,申请人:三星电子株式会社,,发明专利...
- 安永峻的会客厅
个人信息 安永峻 积 分：110分(如何获取积分?)现所在地：联系方式：[查看](扣5分/次)从业状态：从事企业：...
- 安永峻的会客厅
个人信息 安永峻 积 分：252分(如何获取积分?)现所在地：联系方式：[查看](扣5分/次)从业状态：从事企业：...
- 场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件-作者：原田健史,竹内孝之,七井...
发明人:冯家馨,珀西·V·吉尔伯特,申请人:国际商业机器公司,,发明专利...发明人:安永峻,朴东健,李忠浩,姜熙秀,申请人:三星电子株式会社,,发明专利...
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